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日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板

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更新日期:2025-05-02

簡要描述:

日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板
在氮化硅陶瓷上形成銅電路的絕緣電路板,??兼具散熱性和強(qiáng)度。

日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板

日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板

在氮化硅陶瓷上形成銅電路的絕緣電路板,兼具散熱性和強(qiáng)度。
 由于陶瓷基板的高強(qiáng)度,可以形成厚度從0.1mm到0.8mm的銅電路。
 由于其高散熱性,它是實(shí)現(xiàn)功率模塊高輸出和小型化的關(guān)鍵材料。此外,它還是一種耐熱循環(huán)性能優(yōu)良、使用壽命長、可靠性高的基板。
 此外,還可用于功率模塊中銅電極duan子的超聲波(US)鍵合、無底銅、鉆孔螺釘固定等各種安裝結(jié)構(gòu)。

特征

兼具散熱與強(qiáng)度

更厚的銅電路是可能的

優(yōu)異的耐熱循環(huán)性

日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板

產(chǎn)品規(guī)格

甲,乙陶瓷外形(mm)最大有效范圍90×110
公差(毫米)±0.15
C。陶瓷厚度(mm)0.25/0.32
公差(毫米)±0.05
電極材料
D.銅厚 (mm)0.1 至 0.40.5 至 0.60.7 至 0.8
E.爬電距離 (mm)≥0.5≥0.7≧1.0
F。圖案尺寸(毫米)≥0.5≥0.7≧1.0
G。花樣間尺寸(mm)≧0.4≧1.0≧1.2
H。錐度尺寸 (mm)≦0.5D(Cu厚度的1/2以下)

image.png

銅電路連接方法

AMC(活性金屬銅電路)基板通過釬焊材料連接陶瓷和銅電路板。它是一種便于形成精細(xì)圖案并具有優(yōu)異耐熱性和性價比的功率模塊基板。


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