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日本napson非接觸式渦流法電阻測量儀EC-80

訪問次數(shù):1665

更新日期:2025-05-02

簡要描述:

日本napson非接觸式渦流法電阻測量儀EC-80
簡單的測量儀器,只需將樣品插入探針之間即可進(jìn)行測量
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換

日本napson非接觸式渦流法電阻測量儀EC-80

日本napson非接觸式渦流法電阻測量儀EC-80

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 簡單的測量儀器,只需將樣品插入探針之間即可進(jìn)行測量
  • 在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
  • *由于探頭是固定的,因此您可以在購買前從幾種類型的探頭中選擇一種。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)xi)

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

日本napson非接觸式渦流法電阻測量儀EC-80

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

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