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渦流探傷技術(shù)在電阻檢測方向上的運(yùn)用

  • 發(fā)布日期:2021-06-11      瀏覽次數(shù):1277
    • 渦流探傷技術(shù)在電阻檢測方向上的運(yùn)用

       渦流檢測是建立在電磁感應(yīng)原理基礎(chǔ)之上的一種無損檢測方法,它適用于導(dǎo)電材料。當(dāng)把一塊導(dǎo)體置于交變磁場之中,在導(dǎo)體中就有感應(yīng)電流存在,即產(chǎn)生渦流。由于導(dǎo)體自身各種因素(如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、形狀,尺寸和缺陷等)的變化,會導(dǎo)致渦流的變化,利用這種現(xiàn)象判定導(dǎo)體性質(zhì),狀態(tài)的檢測方法,叫渦流檢測。

      日本napson渦流式電阻檢測儀EC-80P

      產(chǎn)品特點(diǎn)

      • 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測量。
      • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
      • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
      • 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的,因此它支持廣泛的電阻。
      • (電阻探頭:z多可以使用2 + PN判斷探頭)
      • 測量規(guī)格

        測量目標(biāo)

        相關(guān)(硅,多晶硅,碳化硅等)半導(dǎo)體/太陽能電池材料
        的新材料/相關(guān)功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
        導(dǎo)電薄膜相關(guān)的(金屬,ITO等)
        硅基外延離子注入的樣品
        化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
        其他(*請與我們聯(lián)xi)

        測量尺寸

        無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

        測量范圍

        [電阻率] 1 m至200Ω·cm
        (*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
        [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
        (*所有探頭類型的總范圍)

        *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
        (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
        0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
        (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
        (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
        (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

       

    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

    在線交流
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